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MOS集成电路时易被静电击穿时应留意的规则

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【摘要】
(1).MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中♤切勿自行随便拿个塑料袋装⊙也可用细铜线把各个引脚连接在一起♤或用锡纸包装  (2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动♤应用金属盘来盛放待用器件⊙  (3).焊接用的电烙铁必须良好接地⊙  (4).在焊接前应把电路板的电源线与地线短接♤再MOS器件焊接完成后在分开⊙   (5).MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极⊙拆机时顺序相反⊙ 

(1). MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中♤切勿自行随便拿个塑料袋装⊙也可用细铜线把各个引脚连接在一起♤或用锡纸包装

 

 (2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动♤应用金属盘来盛放待用器件⊙

 

 (3). 焊接用的电烙铁必须良好接地⊙

 

 (4). 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接♤再MOS器件焊接完成后在分开⊙ 

 

 (5). MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极⊙拆机时顺序相反⊙

 

 (6).电路板在装机之前♤要用接地的线夹子往碰一下机器的各接线端子♤再把电路板接上往⊙

 

 (7). MOS场效应晶体管的栅极在答应条件下♤最好接进保护二极管⊙在检验电路时应留意查证原有的保护二极管是否损坏⊙

 

 

 

   实际上说电流控制慢♤电压控制快这种理解是不对的⊙要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白⊙三极管是靠载流子的运动来工作的♤以npn管射极跟随器为例♤当基极加不加电压时♤基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴♤发射区为电子)的扩散运动♤在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)♤当基极外加正电压的指向为基区指向发射区♤当基极外加电压产生的电场大于内建电场时♤基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区♤此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)⊙但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在♤此时如果集电极-发射极加正电压♤在电场作用下♤发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动)♤由于基区宽度很小♤电子很容易越过基区到达集电区♤并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极)♤为维持平衡♤在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动♤而空穴则为pn结处运动♤此过程类似一个雪崩过程⊙集电极的电子通过电源回到发射极♤这就是晶体管的工作原理⊙三极管工作时♤两个pn结都会感应出电荷♤当做开关管处于导通状态时♤三极管处于饱和状态♤如果这时三极管截至♤pn结感应的电荷要恢复到平衡状态♤这个过程需要时间⊙而mos三极管工作方式不同♤没有这个恢复时间♤因此可以用作高速开关管⊙

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